基本信息:
- 专利标题： 离子注入装置、离子束被照射体及离子注入方法
- 专利标题（英）：Ion implanter, ion beam irradiated target, and ion implantation method
- 申请号：CN201810529973.2 申请日：2018-05-29
- 公开(公告)号：CN108987226A 公开(公告)日：2018-12-11
- 发明人： 松下浩
- 申请人： 住友重机械离子科技株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 住友重机械离子科技株式会社
- 当前专利权人： 住友重机械离子科技株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 夏斌
- 优先权： 2017-107476 2017.05.31 JP
- 主分类号： H01J37/317
- IPC分类号： H01J37/317
摘要：
本发明的课题在于提供一种离子注入装置，应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。离子注入装置(100)具备：离子源，构成为生成包含非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承离子束被照射体；控制装置(50)，构成为运算通过入射于离子束被照射体(70)的非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在离子束被照射体(70)的非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量。
摘要（英）：
An object of the invention is to provide an ion implanter to cope with a nuclear reaction caused by a use of an ion beam having a relatively high energy. The ion implanter (100) includes an ion sourceconfigured to generate an ion beam including an ion of a nonradioactive nuclide, a beamline configured to support an ion beam irradiated target; and a controller (50) configured to calculate an estimated radiation dosage of a radioactive ray generated by a nuclear reaction between the ion of the nonradioactive nuclide incident into the ion beam irradiated target and the nonradioactive nuclide accumulated in the ion beam irradiated target as a result of ion beam irradiation performed previously.
公开/授权文献:
- CN108987226B 离子注入装置、离子束被照射体及离子注入方法 公开/授权日：2021-08-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01J | 放电管或放电灯 |
| ------H01J37/00 | 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,如为了对其检验或加工的 |
| --------H01J37/02 | .零部件 |
| ----------H01J37/317 | ..用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入 |