基本信息:
- 专利标题： 半导体结构及半导体器件
- 专利标题（英）：Semiconductor structure and semiconductor device
- 申请号：CN201710375318.1 申请日：2017-05-24
- 公开(公告)号：CN108933171A 公开(公告)日：2018-12-04
- 发明人： 张金 , 魏洋 , 姜开利 , 范守善
- 申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 专利权人： 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人： 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/16 ; H01L21/336
A semiconductor structure comprises a semiconductor layer having a thickness of 1 to 100 nm, a carbon nanotube and a conductive film; the semiconductor layer comprises a first surface and a second surface opposite to the first surface, the carbon nanotube is disposed on the first surface of the semiconductor layer, the conductive film is formed on the second surface of the semiconductor layer by adeposition method, the semiconductor layer is disposed between the carbon nanotube and the conductive film, and the carbon nanotube, the semiconductor layer and the conductive film are laminated on each other to form a multi-layer three-dimensional structure. The invention further provides a semiconductor device employing the semiconductor structure.
公开/授权文献:
- CN108933171B 半导体结构及半导体器件 公开/授权日：2020-06-09
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/778 | .....带有二维载流子气沟道的，如HEMT |