基本信息:
- 专利标题： 晶体管及其制作方法
- 专利标题（英）：Transistor and manufacturing method thereof
- 申请号：CN201710379725.X 申请日：2017-05-25
- 公开(公告)号：CN108933082A 公开(公告)日：2018-12-04
- 发明人： 张海洋 , 纪世良
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理人： 屈蘅; 李时云
- 主分类号： H01L21/04
- IPC分类号： H01L21/04 ; H01L29/788
摘要：
本发明揭示了一种晶体管及其制作方法，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成石墨烯纳米带层；在所述石墨烯纳米带层上形成第一氧化层；在所述第一氧化层中形成多个第一沟槽；在每个所述第一沟槽中均形成碳纳米管；在每个所述碳纳米管的两端形成金属接触层；以及在每个所述碳纳米管上形成第二氧化层。由此，能够获得具有石墨烯纳米带层和碳纳米管的晶体管，该晶体管相比传统晶体管能够在很低的电压下工作。
摘要（英）：
The invention discloses a transistor and a manufacturing method thereof. The method comprises providing a semiconductor substrate, forming a graphene nanoribbon layer on the semiconductor substrate, forming a first oxide layer on the graphene nanoribbon layer, forming a plurality of first trenches in the first oxide layer, forming a carbon nanotube in each first trench, forming metal contact layers at both ends of each carbon nanotube, and forming second oxide layers on the carbon nanotubes. Therefore, the transistor having the graphene nanoribbon layer and the carbon nanotubes can obtained, and, compared with a traditional transistor, the transistor can work at a very low voltage.
公开/授权文献:
- CN108933082B 晶体管及其制作方法 公开/授权日：2020-09-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/04 | ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层 |