基本信息:
- 专利标题： 处理装置、异常探测方法以及存储介质
- 专利标题（英）：PROCESSING APPARATUS, ABNORMALITY DETECTION METHOD, AND STORAGE MEDIUM
- 申请号：CN201810371461.8 申请日：2018-04-24
- 公开(公告)号：CN108735631A 公开(公告)日：2018-11-02
- 发明人： 中溝贤治 , 守田聪 , 田中明贤 , 小宫洋司 , 中岛幹雄 , 福田孝佑 , 正木洋一 , 安藤了至 , 须中郁雄
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理人： 刘新宇
- 优先权： 2017-085645 2017.04.24 JP
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67
The invention provides a processing apparatus, an abnormality detection method, and a storage medium. The processing apparatus includes a chamber configured to accommodate a substrate to be processed,a nozzle provided in the chamber and configured to supply a processing solution to the substrate, a flow rate measuring part configured to measure a flow rate of the processing solution supplied to the nozzle, a flow path opening/closing part configured to open and close a supply flow path of the processing solution to the nozzle, and a controller configured to output a close signal causing the flow path opening/closing part to perform a closing operation that closes the supply flow path. The controller is configured to detect an operation abnormality of the flow path opening/closing part based on an accumulated amount of the flow rate measured by the flow rate measuring part after outputting the close signal.
公开/授权文献:
- CN108735631B 处理装置、异常探测方法以及存储介质 公开/授权日：2024-03-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |