基本信息:
- 专利标题： 等离子体处理装置和控制方法
- 专利标题（英）：PLASMA PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD
- 申请号：CN201810330050.4 申请日：2018-04-13
- 公开(公告)号：CN108735568A 公开(公告)日：2018-11-02
- 发明人： 池田太郎 , 长田勇辉
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理人： 刘新宇
- 优先权： 2017-080620 2017.04.14 JP
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32
The invention provides a plasma processing apparatus and a control method, for monitoring distribution of plasmas. The plasma processing apparatus includes: a plurality of gas supply nozzles which areprovided on a wall surface of a processing container and supply process gas toward the inside of the processing container in a radial direction; N microwave introducing modules of which the number disposed in a circumferential direction of a ceiling plate of the processing container so as to introduce microwaves for generating plasma into the processing container; and sensors, wherein N or multiple of N sensors are arranged on the wall surface of the processing container so as to monitor at least any one of electron density Ne and electron temperature Te of the plasma generated in the processing container; and N>=2.
公开/授权文献:
- CN108735568B 等离子体处理装置和控制方法 公开/授权日：2020-04-03