基本信息:
- 专利标题： 基板处理方法及基板处理装置
- 申请号：CN201780013898.8 申请日：2017-01-24
- 公开(公告)号：CN108701605B 公开(公告)日：2023-03-24
- 发明人： 金松泰范 , 中井仁司 , 岩田智巳
- 申请人： 株式会社斯库林集团
- 申请人地址： 日本京都府
- 专利权人： 株式会社斯库林集团
- 当前专利权人： 株式会社斯库林集团
- 当前专利权人地址： 日本京都府
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理人： 向勇
- 优先权： 2016-070403 20160331 JP
- 国际申请： PCT/JP2017/002403 2017.01.24
- 国际公布： WO2017/169019 JA 2017.10.05
- 进入国家日期： 2018-08-28
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304 ; H01L21/306
摘要：
在上表面(91)形成有结构体的基板(9)的处理中，在上表面(91)上保持有机溶剂的液膜以使有机溶剂填满结构体中的间隙之后，进行通过填充剂的供给而用填充剂取代该有机溶剂的处理、及除去附着于基板(9)的外缘部的填充剂的处理。将形成于防溅部(25)的内侧面与基板(9)的外缘部之间的环状的最小间隙作为环状间隙，以使前者的处理中的环状间隙的宽度较后者的处理中的该宽度变大的方式，使防溅部(25)升降。由此，在保持液膜时，使基板(9)的外缘部附近的气体的流速降低，以抑制液膜的崩溃等，且在清洗基板(9)的外缘部时，使从外缘部附近朝向环状间隙的气体的流速增大，以抑制从基板(9)飞散的清洗液等返回基板(9)。
公开/授权文献:
- CN108701605A 基板处理方法及基板处理装置 公开/授权日：2018-10-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |