基本信息:
- 专利标题： 具有异质接触件的集成电路
- 申请号：CN201810315561.9 申请日：2018-04-10
- 公开(公告)号：CN108695319B 公开(公告)日：2023-11-14
- 发明人： 金兑衡 , 都桢湖 , 文大英 , 白尚叶 , 林哉炫 , 崔在承 , 韩相信
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道水原市灵通区三星路129号
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道水原市灵通区三星路129号
- 代理机构： 华进联合专利商标代理有限公司
- 代理人： 刘培培; 黄隶凡
- 主分类号： H01L27/088
- IPC分类号： H01L27/088 ; H01L23/528 ; H01L27/02
摘要：
本发明提供一种集成电路，其包含：多个导电线，其在与栅极线分离的平面上在第一水平方向上延伸，且包含第一导电线和第二导电线；源极/漏极接触件，其具有连接到源极/漏极区域的底部表面，且包含在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件；以及栅极接触件，其具有连接到栅极线的底部表面且在竖直方向上延伸，其中上部源极/漏极接触件放置在第一导电线下方，且栅极接触件放置在第二导电线下方。下部源极/漏极接触件的顶部表面可以大于上部源极/漏极接触件的底部表面。
公开/授权文献:
- CN108695319A 具有异质接触件的集成电路 公开/授权日：2018-10-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/085 | ....只包含场效应的组件 |
| ----------------H01L27/088 | .....有绝缘栅场效应晶体管的组件 |