基本信息:
- 专利标题： 一种等离子体产生腔室和等离子体处理装置
- 申请号：CN201710202609.0 申请日：2017-03-30
- 公开(公告)号：CN108668422A 公开(公告)日：2018-10-16
- 发明人： 肖德志
- 申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
- 申请人地址： 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
- 专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
- 当前专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理人： 彭瑞欣; 罗瑞芝
- 主分类号： H05H1/10
- IPC分类号： H05H1/10 ; H01J37/32
摘要：
本发明提供一种等离子体产生腔室和等离子体处理装置。该等离子体产生腔室包括介质筒和绕制在介质筒外壁的线圈，线圈用于将射频功率耦合至介质筒内，以激发介质筒内的气体产生等离子体，还包括磁性元件，磁性元件围设在线圈的远离介质筒的外侧，磁性元件能在介质筒内产生磁场，磁场的方向与介质筒的轴线夹角大于0°且小于180°。该等离子体产生腔室通过在介质筒的外围设置磁性元件，能够获得更高密度的等离子体，从而提高了晶圆表面的等离子体处理速率，并使等离子体处理速率能够达到工艺要求；而且还降低了等离子体中粒子的能量，避免了等离子体中粒子能量过高对晶圆表面造成损伤。
公开/授权文献:
- CN108668422B 一种等离子体产生腔室和等离子体处理装置 公开/授权日：2021-06-08