基本信息:
- 专利标题： 一种基于P阱浮空技术的采样开关及控制方法
- 申请号：CN201810420910.3 申请日：2018-05-04
- 公开(公告)号：CN108649953A 公开(公告)日：2018-10-12
- 发明人： 徐代果 , 胡刚毅 , 徐学良 , 王健安 , 陈光炳 , 付东兵 , 王育新 , 徐世六
- 申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 申请人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 当前专利权人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 代理机构： 上海光华专利事务所
- 代理人： 尹丽云
- 主分类号： H03M1/12
- IPC分类号： H03M1/12 ; H03M1/06
摘要：
本发明提供一种基于P阱浮空技术的采样开关及控制方法，该采集开关包括升压电路、采样开关NMOS管NM1和开关SN，所述采样开关的一端作为输入端VIN，采样开关的另一端作为输出端OUT，输入端VIN分别连接升压电路的输入端、采样开关NMOS管NM1的输入端，输出端OUT连接采样开关NMOS管NM1的输出端，升压电路的输出端与采样开关NMOS管NM1的栅极连接；所述开关SN连接于采样开关NMOS管NM1的衬底与地之间。本发明所示结构非常简单，只引入了一个额外的开关，最大程度减小了采样管的额外寄生电容，和传统技术相比，电路实现也更为简单。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03M | 一般编码、译码或代码转换 |
| ------H03M1/00 | 模/数转换；数/模转换 |
| --------H03M1/12 | .模/数转换器 |