基本信息:
- 专利标题： 磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器
- 申请号：CN201711385740.1 申请日：2017-12-20
- 公开(公告)号：CN108574041B 公开(公告)日：2023-10-24
- 发明人： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 冯艮 , 王淑霞 , 维拉迪默·尼基廷 , 唐学体
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道水原市
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道水原市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理人： 尹淑梅; 田野
- 主分类号： H10N50/10
- IPC分类号： H10N50/10 ; H10N50/01
摘要：
描述了磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和杂化自由层。杂化自由层使用穿过磁性结的电流在稳定的磁性状态之间是可切换的。非磁性间隔层位于杂化自由层与参考层之间。杂化自由层包括软磁性层、硬磁性层以及位于硬磁性层与软磁性层之间的氧化物耦合层。软磁性层具有不大于30的第一磁热稳定系数。硬磁性层具有是第一磁热稳定系数的至少两倍的第二磁热稳定系数。
公开/授权文献:
- CN108574041A 磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器 公开/授权日：2018-09-25
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N50/00 | 电磁器件（霍尔效应器件H10N52/00） |
| --------H10N50/10 | .磁阻器件 |