基本信息:
- 专利标题： 集成电路装置及其制作方法
- 申请号：CN201711100178.3 申请日：2017-11-09
- 公开(公告)号：CN108573999B 公开(公告)日：2021-04-13
- 发明人： 全辉璨 , 申宪宗 , 张在兰 , 黄寅灿
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道水原市灵通区三星路129号
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道水原市灵通区三星路129号
- 代理机构： 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理人： 刘培培; 黄隶凡
- 优先权： 10-2017-0030534 20170310 KR
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
一种集成电路装置及其制作方法。鳍型有源区在衬底上在第一水平方向上延伸。栅极线在所述鳍型有源区上在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸。源极/漏极区在所述鳍型有源区中位于所述栅极线的一侧。绝缘盖平行于所述衬底延伸，所述栅极线及所述源极/漏极区排列在所述绝缘盖与所述衬底之间。源极/漏极触点垂直地延伸穿过所述绝缘盖，所述源极/漏极触点具有被所述绝缘盖覆盖的第一侧壁及连接到所述源极/漏极区的端部。鳍隔离绝缘单元垂直地延伸穿过所述绝缘盖而延伸到所述鳍型有源区中。所述源极/漏极区排列在所述鳍隔离绝缘单元与所述栅极线之间。
公开/授权文献:
- CN108573999A 集成电路装置及其制作方法 公开/授权日：2018-09-25