基本信息:
- 专利标题： 基板处理装置
- 专利标题（英）：Substrate processing apparatus
- 申请号：CN201810183440.3 申请日：2018-03-06
- 公开(公告)号：CN108573900A 公开(公告)日：2018-09-25
- 发明人： 福岛讲平 , 冈部庸之
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理人： 刘新宇
- 优先权： 2017-043235 2017.03.07 JP
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67
The invention relates to a substrate processing apparatus capable of controlling the evenness of control planes. A substrate processing apparatus includes an inner tube configured to accommodate a plurality of substrates and having a first opening portion; an outer tube surrounding the inner tube; a movable wall movably provided in the inner tube or between the inner tube and the outer tube and having a second opening portion; a gas supply part configured to supply a processing gas into the inner tube; an exhaust part provided outside the movable wall and configured to exhaust the processing gas supplied into the inner tube through the first opening portion and the second opening portion; and a pressure detection part configured to detect a pressure inside the inner tube.
公开/授权文献:
- CN108573900B 基板处理装置 公开/授权日：2023-10-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |