基本信息:
- 专利标题： 集成电路装置
- 申请号：CN201710888495.X 申请日：2017-09-27
- 公开(公告)号：CN108538810A 公开(公告)日：2018-09-14
- 发明人： 朴相真 , 权奇相 , 白在职 , 高镛璿 , 李光旭
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道水原市
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道水原市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘灿强; 韩明花
- 优先权： 10-2017-0028549 2017.03.06 KR
- 主分类号： H01L23/528
- IPC分类号： H01L23/528 ; H01L27/088
An integrated circuit device includes an insulating film on a substrate, a lower wiring layer penetrating at least a portion of the insulating film, the lower wiring layer including a first metal, a lower conductive barrier film surrounding a bottom surface and a sidewall of the lower wiring layer, the lower conductive barrier film including a second metal different from the first metal, a first metal silicide capping layer covering a top surface of the lower wiring layer, the first metal silicide capping layer including the first metal, and a second metal silicide capping layer contacting the first metal silicide capping layer and disposed on the lower conductive barrier film, the second metal silicide capping layer including the second metal.
公开/授权文献:
- CN108538810B 集成电路装置 公开/授权日：2022-03-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/522 | ..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的 |
| ------------H01L23/528 | ...互连结构的布置 |