基本信息:
- 专利标题： 半导体装置
- 申请号：CN201680039711.7 申请日：2016-12-22
- 公开(公告)号：CN108475674B 公开(公告)日：2022-07-05
- 发明人： 小谷凉平 , 松原寿树 , 石塚信隆 , 三川雅人 , 押野浩
- 申请人： 新电元工业株式会社
- 申请人地址： 日本国东京都千代田区大手町二丁目2番1号
- 专利权人： 新电元工业株式会社
- 当前专利权人： 新电元工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本国东京都千代田区大手町二丁目2番1号
- 代理机构： 上海德昭知识产权代理有限公司
- 代理人： 郁旦蓉
- 国际申请： PCT/JP2016/088450 2016.12.22
- 国际公布： WO2018/116457 JA 2018.06.28
- 进入国家日期： 2018-01-04
- 主分类号： H01L27/04
- IPC分类号： H01L27/04 ; H01L21/822 ; H01L21/8234 ; H01L27/06 ; H01L27/088 ; H01L29/78
摘要：
【课题】在方向偏置施加状态下防止半导体开关开启。【解决手段】包括：半导体开关SW，具有集电极C、发射极E、以及栅电极G；齐纳二极管5A，其一端与集电极C电气连接，其另一端与栅电极G电气连接，并且为N型半导体层与P型半导体层交互地相邻配置的结构；以及齐纳二极管5B，其一端与栅电极G电气连接，其另一端与发射极E电气连接，并且为N型半导体层与P型半导体层交互地相邻配置的结构，其中，齐纳二极管5A以及齐纳二极管5B被构成为：在反向偏置施加状态下，栅电极G的电压不会上升至半导体开关SW的开启阀值电压。
公开/授权文献:
- CN108475674A 半导体装置 公开/授权日：2018-08-31