基本信息:
- 专利标题： 用于增大反应离子与中性物质的比的方法
- 申请号：CN201680074818.5 申请日：2016-11-28
- 公开(公告)号：CN108475611B 公开(公告)日：2020-10-27
- 发明人： 陈宗良 , 约翰·哈塔拉 , 梁树荣 , 约瑟·欧尔森
- 申请人： 瓦里安半导体设备公司
- 申请人地址： 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号(邮递区号:01930)
- 专利权人： 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人： 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人地址： 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号(邮递区号:01930)
- 代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理人： 杨贝贝; 臧建明
- 优先权： 14/976,675 2015.12.21 US
- 国际申请： PCT/US2016/063840 2016.11.28
- 国际公布： WO2017/112352 EN 2017.06.29
- 进入国家日期： 2018-06-20
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32 ; C23C16/455
摘要：
本发明涉及一种用于增大反应离子与中性物质的比的方法。本发明的方法是在等离子体处理设备中增加反应离子与中性物质的比。示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在沉积腔室内的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。
公开/授权文献:
- CN108475611A 控制等离子体源的离子/中性物比的技术 公开/授权日：2018-08-31