基本信息:
- 专利标题： 一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法
- 申请号：CN201810317160.7 申请日：2018-04-10
- 公开(公告)号：CN108470735B 公开(公告)日：2020-06-30
- 发明人： 郭红霞 , 琚安安 , 张凤祁 , 欧阳晓平 , 魏佳男 , 潘霄宇 , 郭维新 , 钟向丽 , 罗尹虹 , 丁李利 , 王坦 , 张阳 , 秦丽 , 李波
- 申请人： 湘潭大学
- 申请人地址： 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘街道
- 专利权人： 湘潭大学
- 当前专利权人： 湘潭大学
- 当前专利权人地址： 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘街道
- 代理机构： 北京慕达星云知识产权代理事务所
- 代理人： 李冉
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L27/11502 ; H01L21/263
摘要：
本发明公开了一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法，包括将铁电存储器的管脚短接；选择等效能量为106eV的中子束，且注量为1013/cm2～1014/cm2；用中子束对铁电存储器进行辐照，当达到1013/cm2～1014/cm2注量时停止辐照。本发明在不变动器件内部版图信息，不另外添加抗辐照电路，不影响器件使用功能的前提下利用中子预处理的办法提高铁电存储器抗扰动性能的加固。
公开/授权文献:
- CN108470735A 一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法 公开/授权日：2018-08-31
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |