基本信息:
- 专利标题： 包含两种金属掺杂剂的n型掺杂半导体材料
- 申请号：CN201680065531.6 申请日：2016-11-09
- 公开(公告)号：CN108463897B 公开(公告)日：2021-01-29
- 发明人： 托马斯·卡里兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 乌韦·戈尔弗特 , 维金塔斯·扬库什 , 卡斯滕·洛特 , 本杰明·舒尔策 , 斯特芬·维尔曼
- 申请人： 诺瓦尔德股份有限公司
- 申请人地址： 德国德累斯顿
- 专利权人： 诺瓦尔德股份有限公司
- 当前专利权人： 诺瓦尔德股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国德累斯顿
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 郭国清; 穆德骏
- 优先权： 15193925.3 2015.11.10 EP
- 国际申请： PCT/EP2016/077135 2016.11.09
- 国际公布： WO2017/081076 EN 2017.05.18
- 进入国家日期： 2018-05-09
- 主分类号： H01L51/54
- IPC分类号： H01L51/54 ; H01L51/00
摘要：
本发明涉及一种半导体材料、包含这样的材料的电子器件及其制备方法，所述半导体材料包含(i)由至少一种基本上共价基质化合物组成的基本上共价基质材料，(ii)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属，和(iii)至少一种选自Zn、Hg、Cd和Te的第二金属。
公开/授权文献:
- CN108463897A 包含两种金属掺杂剂的n型掺杂半导体材料 公开/授权日：2018-08-28