基本信息:
- 专利标题： 半导体硅晶片的制备方法、硅晶片及图像传感器
- 专利标题（英）：Method for preparing semiconductor silicon wafer, semiconductor silicon wafer and image sensor
- 申请号：CN201810088768.7 申请日：2018-01-30
- 公开(公告)号：CN108346674A 公开(公告)日：2018-07-31
- 发明人： 赵长林 , 曾甜
- 申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖高新技术开发区高新四路18号
- 专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 当前专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖高新技术开发区高新四路18号
- 代理机构： 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理人： 王莹; 李相雨
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
The invention provides a method for preparing a semiconductor silicon wafer, a semiconductor silicon wafer and an image sensor. The method includes: providing a semiconductor silicon wafer; laying a layer of photoresist on the surface of the semiconductor silicon wafer, and patterning the photoresist agent to form a photoresist having a plurality of parallel strip patterns disposed at equal widths; etching the semiconductor silicon wafer by using the photoresist as a barrier layer to form a W-shaped shallow trench on the surface of the semiconductor silicon wafer; and etching the sidewall of the W-shaped shallow trench to form a wavy structure on the surface of the semiconductor silicon wafer. The method increases the surface area of the semiconductor silicon wafer and increases a light absorption rate, thereby improving the optical performance of the image processor.
公开/授权文献:
- CN108346674B 半导体硅晶片的制备方法、硅晶片及图像传感器 公开/授权日：2019-01-18
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |