基本信息:
- 专利标题： 制作双镶嵌结构的方法
- 专利标题（英）：Method of manufacturing dual damascene structure
- 申请号：CN201710058124.9 申请日：2017-01-23
- 公开(公告)号：CN108346617A 公开(公告)日：2018-07-31
- 发明人： 蒋欣妤 , 张峰溢 , 李甫哲
- 申请人： 联华电子股份有限公司 , 福建省晋华集成电路有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区
- 专利权人： 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768
摘要：
本发明公开一种制作双镶嵌结构的方法，其步骤包含形成一导孔穿过介电层、在该介电层上形成一牺牲层填满该导孔、以光致抗蚀剂进行一蚀刻制作工艺以在该介电层中形成一沟槽，其中该蚀刻制作工艺对于该介电层以及该牺牲层的蚀刻选择比为1:1，而该沟槽与该导孔共同构成一双镶嵌凹槽。
摘要（英）：
The invention discloses a method of manufacturing a dual damascene structure. The method comprises steps: a via hole is formed to pass through a dielectric layer; a sacrificial layer is formed on thedielectric layer to fill up the via hole; an etching process is performed through a photoresist to form a trench in the dielectric layer, wherein in the etching process, the ratio of etching selectivity between the dielectric layer and the sacrificial layer is 1 to 1, and the trench and the via hole together form a dual damascene recess.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |