基本信息:
- 专利标题： 晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法
- 申请号：CN201810157646.9 申请日：2018-02-24
- 公开(公告)号：CN108345752B 公开(公告)日：2022-02-11
- 发明人： 李大猛 , 马强 , 赵东艳 , 张海峰 , 唐晓柯 , 陈燕宁 , 袁远东 , 关媛
- 申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ;
- 专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司
- 当前专利权人： 北京芯可鉴科技有限公司,北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层; ;
- 代理机构： 北京兴智翔达知识产权代理有限公司
- 代理人： 张玉梅
- 主分类号： G06F30/20
- IPC分类号： G06F30/20 ; G06F119/14
摘要：
本发明公开了一种晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法。该方法是在被测试晶圆上选取一个或多个测试单元，所述测试单元包含多个非易失性存储器，将测试机的探针卡接入所述测试单元进行非易失性存储器的寿命特性评估。所述寿命特性评估包括数据保持能力评估和擦写能力评估。所述晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法的测试时间短，效率高，而且可实现大量同测，便于数据收集统计分析。
公开/授权文献:
- CN108345752A 晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法 公开/授权日：2018-07-31
IPC结构图谱:
| G06F30/20 | 设计优化、验证或模拟 |