基本信息:
- 专利标题： 一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法
- 申请号：CN201810183927.1 申请日：2018-03-06
- 公开(公告)号：CN108321262A 公开(公告)日：2018-07-24
- 发明人： 王宏兴 , 刘璋成 , 赵丹 , 张明辉 , 王玮 , 问峰 , 卜忍安 , 侯洵
- 申请人： 西安交通大学
- 申请人地址： 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 代理机构： 陕西增瑞律师事务所
- 代理人： 刘春
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/34 ; H01L33/36 ; H01L33/64
摘要：
本发明公开了一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法，垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底、p型硼高掺杂金刚石层、i型碳化硅层和n型磷高掺杂金刚石层，单晶金刚石衬底向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，n型磷高掺杂金刚石层向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。
公开/授权文献:
- CN108321262B 一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法 公开/授权日：2024-07-26