![一种功率器件模组及其制备方法](/CN/2017/1/261/images/201711307492.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种功率器件模组及其制备方法
- 申请号:CN201711307492.9 申请日:2017-12-11
- 公开(公告)号:CN108231703B 公开(公告)日:2020-02-07
- 发明人: 田丽纷 , 王亮 , 李现兵 , 石浩 , 张朋 , 唐新灵 , 林仲康 , 韩荣刚 , 张喆
- 申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 专利权人: 全球能源互联网研究院有限公司,国网山东省电力公司电力科学研究院,国家电网有限公司
- 当前专利权人: 全球能源互联网研究院有限公司,国网山东省电力公司电力科学研究院,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理人: 李博洋
- 主分类号: H01L23/31
- IPC分类号: H01L23/31 ; H01L23/522 ; H01L21/50
摘要:
本发明提供一种功率器件模组及其制备方法,该功率器件模组包括:功率芯片、第一金属膜及第二金属膜,第一金属膜与第二金属膜分别设置于功率芯片的上表面和下表面,解决了现有压接型功率器件接触热阻和接触电阻较高,从而导致功率器件散热性不佳的问题,减少了功率器件模组早期失效的现象。
摘要(英):
The invention provides a power device module and a preparation method thereof. The power device module comprises a power chip, a first metal film and a second metal film, wherein the first metal filmand the second metal film are arranged on the upper surface and the lower surface of the power chip respectively. The problem that the heat dissipation of the power device is poor caused by the fact that the contact thermal resistance and contact resistance of an existing pressing type power device are relatively high is solved, and the initial failure phenomenon of the power device module is reduced.
公开/授权文献:
- CN108231703A 一种功率器件模组及其制备方法 公开/授权日:2018-06-29
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
--------H01L23/02 | .容器;封接 |
----------H01L23/31 | ..按配置特点进行区分的 |