基本信息:
- 专利标题： 一种控制电极制备方法及MOSFET功率器件
- 申请号：CN201611125725.9 申请日：2016-12-09
- 公开(公告)号：CN108231560B 公开(公告)日：2022-02-15
- 发明人： 郑柳 , 桑玲 , 王嘉铭 , 查祎英 , 刘瑞 , 吴昊 , 田红林 , 张文婷 , 钮应喜 , 杨霏
- 申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网江苏省电力公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内; ;
- 专利权人： 全球能源互联网研究院,国家电网公司,国网江苏省电力公司
- 当前专利权人： 全球能源互联网研究院,国家电网公司,国网江苏省电力公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内; ;
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/336 ; H01L29/423 ; H01L29/49 ; H01L29/78
摘要：
本发明提供了一种控制电极制备方法及MOSFET功率器件，所述方法包括在衬底的正面形成栅极电介质层，并在该栅极电介质层上顺次形成石墨烯层和栅电极；在栅电极上形成栅极接触孔，并在衬底的正面中暴露于栅极电介质层以外的区域上形成第一接触孔；向栅极接触孔和第一接触孔填充金属，分别形成栅极接触电极和第一接触电极；在衬底的背面淀积金属，形成第二接触电极；所述MOSFET功率器件包括上述方法制备的控制电极。与现有技术相比，本发明提供的一种控制电极制备方法及MOSFET功率器件，该方法能够改善控制电极的控制问题，降低器件的导通电阻，缩短反向恢复时间，减少开关损耗，提高器件的电流增益。
公开/授权文献:
- CN108231560A 一种控制电极制备方法及MOSFET功率器件 公开/授权日：2018-06-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |