基本信息:
- 专利标题： 半导体器件
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 申请号：CN201711089453.6 申请日：2017-11-08
- 公开(公告)号：CN108183097A 公开(公告)日：2018-06-19
- 发明人： 金智熏
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 张波
- 优先权： 10-2016-0166886 2016.12.08 KR
- 主分类号： H01L23/64
- IPC分类号： H01L23/64
摘要：
一种半导体器件，包括：在衬底上的多个下电极，所述多个下电极在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上以形成行和列；具有平板形式的支撑结构，支撑结构连接并支撑所述多个下电极，支撑结构包括限定在其中的多个敞开区域，包括成交替方式的两种不同形状的支撑结构可以被提供。所述多个敞开区域可以具有相同的形状并部分地暴露所有的所述多个下电极的侧面。
摘要（英）：
A semiconductor device includes a plurality of lower electrodes on a substrate, wherein the plurality of lower electrodes is in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction to form rows and columns, a support structure having a flat panel form, wherein the support structure connects and supports the plurality of lower electrodes and includes a plurality of open areas defined therein, and the support structure having two different shapes in an alternating manner may be provided. The plurality of open areas may have a same shape and partially expose the sides ofall the plurality of lower electrodes.
公开/授权文献:
- CN108183097B 半导体器件 公开/授权日：2022-10-14
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/552 | .防辐射保护装置，例如光 |
| ----------H01L23/64 | ..阻抗装置 |