基本信息:
- 专利标题： 一种大带宽硅基光调制器
- 申请号：CN201611103311.6 申请日：2016-12-05
- 公开(公告)号：CN108153001B 公开(公告)日：2021-04-27
- 发明人： 武爱民 , 何兵 , 仇超 , 盛振 , 高腾 , 甘甫烷 , 王曦
- 申请人： 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
- 申请人地址： 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢1048室; ;
- 专利权人： 上海新微科技服务有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中科院南通光电工程中心
- 当前专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址： 201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼
- 代理机构： 上海光华专利事务所
- 代理人： 罗泳文
- 主分类号： G02F1/05
- IPC分类号： G02F1/05
摘要：
本发明提供一种大带宽硅基光调制器，包括：基底及其上的绝缘层；n型掺杂硅层，位于所述绝缘层之上；p型掺杂硅层，位于所述n型掺杂硅层之上；铁电薄膜，位于所述p型掺杂硅层之上；其中，所述n型掺杂硅层接地，所述p型掺杂硅层接控制信号，所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起，利用铁电薄膜极化时的场强，大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度，从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器，也可以用于马赫‑曾德尔型光调制器的两臂，后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单，控制方便，工艺与CMOS兼容，很适合工业推广。
公开/授权文献:
- CN108153001A 一种大带宽硅基光调制器 公开/授权日：2018-06-12