基本信息:
- 专利标题： 半导体器件
- 申请号：CN201711182135.4 申请日：2017-11-23
- 公开(公告)号：CN108110001B 公开(公告)日：2023-07-14
- 发明人： 长田尚
- 申请人： 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人： 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理人： 李辉; 董典红
- 主分类号： H01L27/082
- IPC分类号： H01L27/082 ; H01L29/08 ; H01L29/423 ; H01L29/739
摘要：
本申请涉及半导体器件。在包括具有EGE结构的有源单元区域的IGBT的半导体器件的IE效应中实现了改进。在Y轴方向上延伸的多个混合单元区域中的每个区域具有在Y轴方向上延伸的第一沟槽电极、第二沟槽电极和第三沟槽电极、p型本体区域以及接触沟槽，所述接触沟槽设置在第一沟槽电极与第二沟槽电极之间以及第一沟槽电极与第三沟槽电极之间，以在Y轴方向上延伸并到达p型本体区域中的中点。每个混合单元区域还具有多个n+型发射极区域，其形成在位于接触沟槽与第一沟槽电极之间的半导体衬底的上表面中，以比接触沟槽浅并且在平面图中在Y方向上以规则的间隔隔开。n+型发射极区域在平面图中以交错配置来布置。
公开/授权文献:
- CN108110001A 半导体器件 公开/授权日：2018-06-01
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/082 | ....只包含双极型的组件 |