基本信息:
- 专利标题： 处理装置、排气系统及半导体器件的制造方法
- 申请号：CN201711140466.1 申请日：2017-11-16
- 公开(公告)号：CN108109939B 公开(公告)日：2022-02-11
- 发明人： 米岛利彦 , 奥野正则 , 坂田雅和 , 冈宫弘树 , 葛西健 , 野上克明 , 尾崎贵志 , 金山健司 , 小川云龙 , 中嶋诚世 , 山田朋之 , 山田正行
- 申请人： 株式会社国际电气
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社国际电气
- 当前专利权人： 株式会社国际电气
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理人： 陈伟; 刘伟志
- 优先权： 2016-227995 20161124 JP
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67
摘要：
本发明提供一种提高装置的排气性能且不会妨碍装置运用的处理装置、排气系统及半导体器件的制造方法。其结构至少具有：从构成在处理炉内的处理室对气体进行排气的排气单元；和经由具有吸收振动的部件的连接部而与上述排气单元连接的排气装置，在上述结构中，上述排气装置在与上述处理炉和上述排气单元分别相同的层上经由上述排气单元而设置在上述处理炉附近，并且上述排气装置的一端以脱离上述排气单元的宽度范围的方式设置，同时上述排气装置的另一端以收束在上述排气单元的宽度范围内的方式设置。
公开/授权文献:
- CN108109939A 处理装置、排气系统及半导体器件的制造方法 公开/授权日：2018-06-01
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |