基本信息:
- 专利标题： 芯片和功率晶体管
- 申请号：CN201711084611.9 申请日：2017-11-07
- 公开(公告)号：CN108063127B 公开(公告)日：2024-07-05
- 发明人： J·朱斯 , W·V·埃姆登
- 申请人： 罗伯特·博世有限公司
- 申请人地址： 德国斯图加特
- 专利权人： 罗伯特·博世有限公司
- 当前专利权人： 罗伯特·博世有限公司
- 当前专利权人地址： 德国斯图加特
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 郭毅
- 主分类号： H01L23/52
- IPC分类号： H01L23/52 ; H01L23/538 ; H01L29/78 ; H01L21/768
摘要：
描述一种用于功率晶体管的芯片以及一种功率晶体管。为了功率晶体管的高效散热，所述芯片除了衬底和源极金属化结构之外还包括第一铜层和第二铜层，所述第二铜层布置在所述第一铜层与所述源极金属化结构之间。所述第二铜层至少导热地布置到所述源极金属化结构上，其中，所述第一铜层与所述第二铜层电绝缘地连接。所述芯片允许一种具有低热阻抗Z
公开/授权文献:
- CN108063127A 芯片和功率晶体管 公开/授权日：2018-05-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/52 | .用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置 |