基本信息:
- 专利标题： 一种Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池及其制备方法
- 申请号：CN201810014685.3 申请日：2018-01-08
- 公开(公告)号：CN108039388B 公开(公告)日：2024-03-26
- 发明人： 许佳雄 , 林俊辉 , 庄楚楠
- 申请人： 广东工业大学
- 申请人地址： 广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
- 专利权人： 广东工业大学
- 当前专利权人： 广东工业大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 赵青朵
- 主分类号： H01L31/072
- IPC分类号： H01L31/072 ; H01L31/032
摘要：
本发明提供了一种Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池，由依次复合的衬底、背电极、背表面场层、吸收层、缓冲层、窗口层和前电极组成；所述背表面场层为Cu2ZnSn(S,Se)4背表面场层或非晶硅背表面场层；所述吸收层为Cu2ZnSn(S,Se)4吸收层。与现有技术相比，本发明提供的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池具有背表面场层，能够扩展Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池的内建电场分布区域，提高Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池的总内建电势，形成光生少子势垒，钝化Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池背表面，从而使得到的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池具有良好的光伏特性。
公开/授权文献:
- CN108039388A 一种Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳能电池及其制备方法 公开/授权日：2018-05-15
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/042 | ..包括光电池板或阵列，如太阳电池板或阵列 |
| ------------H01L31/072 | ...只是PN异质结型势垒的 |