基本信息:
- 专利标题： 集成电路以及用于补偿集成电路中的电路老化的方法
- 申请号：CN201680052168.4 申请日：2016-07-14
- 公开(公告)号：CN108027403B 公开(公告)日：2020-12-29
- 发明人： M·R·卡考伊 , S-H·J·胡 , M·陈 , J·S·伊布拉希莫维奇 , C·奥永 , S·A·多布雷 , N·图希扎德 , N·陈 , M·W·奥勒姆
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 周敏; 陈炜
- 优先权： 14/850,801 2015.09.10 US
- 国际申请： PCT/US2016/042353 2016.07.14
- 国际公布： WO2017/044190 EN 2017.03.16
- 进入国家日期： 2018-03-08
- 主分类号： G01R31/317
- IPC分类号： G01R31/317 ; G01R31/28
摘要：
一种集成电路通过用老化传感器测量老化并基于所测得的老化来控制供电电压以补偿电路老化。针对老化传感器的操作环境可被设置为降低非老化效应对所测得的老化的影响。例如，操作环境可使用温度反相电压。作为初始已老化测量和初始未老化测量之间的差异的初始老化测量值可被存储在集成电路上。核心功率降低控制器可使用所测得的老化及所存储的初始老化测量值来更新性能传感器目标值，并随后使用经更新的性能传感器目标值来执行自适应电压缩放。
公开/授权文献:
- CN108027403A 具有去老化的集成电路自适应电压缩放 公开/授权日：2018-05-11