基本信息:
- 专利标题： 碳化硅单晶、碳化硅单晶晶片、碳化硅单晶外延晶片、电子器件
- 专利标题（英）：SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL EPITAXIAL WAFER, ELECTRONIC DEVICE
- 申请号：CN201680049110.4 申请日：2016-08-25
- 公开(公告)号：CN108026661A 公开(公告)日：2018-05-11
- 发明人： 冈本武志 , 近藤宏行 , 金村高司 , 宫原真一朗 , 海老原康裕 , 恩田正一 , 土田秀一 , 镰田功穗 , 田沼良平
- 申请人： 株式会社电装
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 周欣
- 优先权： 2015-170814 20150831 JP
- 国际申请： PCT/JP2016/074724 2016.08.25
- 国际公布： WO2017/038591 JA 2017.03.09
- 进入国家日期： 2018-02-24
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36 ; C23C14/06 ; C23C16/42 ; H01L21/205
摘要：
本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。
摘要（英）：
In this silicon carbide single crystal, a threading dislocation (20) is present, whereof the dislocation line (21) traverses the c-plane while the Burgers vector (bv) has at least a component in the c-axis direction. Among the threading dislocations, the density is 300/cm2 or less for the threading dislocations where the angle ([theta]1) formed by the Burgers vector and the direction of the dislocation line is greater than 0 DEG and 40 DEG or less, and the density is 30/cm2 or less for the threading dislocations where the angle is greater than 40 DEG.
公开/授权文献:
- CN108026661B 碳化硅单晶、碳化硅单晶晶片、碳化硅单晶外延晶片、电子器件 公开/授权日：2020-11-10