基本信息:
- 专利标题： NAND存储器及其制备方法
- 申请号：CN201711236924.1 申请日：2017-11-30
- 公开(公告)号：CN107887395B 公开(公告)日：2018-12-14
- 发明人： 胡禺石 , 吕震宇 , 陶谦 , 陈俊 , 杨士宁 , 杨伟毅
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 代理机构： 北京辰权知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘广达
- 主分类号： H01L27/11582
- IPC分类号： H01L27/11582 ; H01L27/1157 ; H01L27/11573
摘要：
本发明公开了一种NAND存储器，包括：等级层堆栈、NAND串、共源触点和源端导电层；所述等级层堆栈包括由导体层和绝缘层交替堆叠形成的导体/绝缘体叠层；所述NAND串和所述共源触点在垂直于所述等级层堆栈中的导体层或绝缘层的第一方向上延伸贯穿所述等级层堆栈；所述源端导电层覆盖所述等级层堆栈，并与所述NAND串第一端和所述共源触点的第一端接触，所述NAND串和所述共源触点通过所述源端导电层形成电性连接；所述源端导电层的导电区由金属、金属合金和金属硅化物中的一种或多种的组合构成。本发明旨在提高器件的操作速度以及外围器件对存储块的源端的驱动能力。
公开/授权文献:
- CN107887395A NAND存储器及其制备方法 公开/授权日：2018-04-06
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |
| --------------------H01L27/11502 | .......具有铁电体存储器电容器的 |
| ----------------------H01L27/11578 | ........以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层 |
| ------------------------H01L27/1158 | .........具有在不同层的源区和漏区的，例如，具有倾斜沟道的 |
| --------------------------H01L27/11582 | ..........沟道具有垂直部分的，例如，U形沟道 |