基本信息:
- 专利标题： 宽沟道高电压MOS器件及其制作方法
- 专利标题（英）：Wide-channel high voltage MOS device and manufacturing method thereof
- 申请号：CN201711184351.2 申请日：2017-11-23
- 公开(公告)号：CN107871667A 公开(公告)日：2018-04-03
- 发明人： 孙超 , 田武 , 许文山
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 代理机构： 北京辰权知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘广达
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L29/08
The invention provides a wide-channel high voltage MOS device and a manufacturing method thereof, belonging to the technical field of semiconductors. The method comprises the following steps: providing a substrate; forming an active region on the substrate; forming a grid structure and a plurality of discontinuous source and drain structures on the active region, and forming a lightly doped drainregion at one side of the grid structure. In the method of the invention, on the basis of no increase of processing step and chip area, by forming the plurality of discontinuous source and drain structures, curvature of a source-and-drain junction of the wide-channel high voltage MOS device is improved, extension distance of a depletion layer of the wide-channel high voltage MOS device is shortened, thus, a punch-through phenomenon is prevented from happening too early between the source and the drain, namely, a punch-through voltage of the wide-channel high voltage MOS device is improved.
公开/授权文献:
- CN107871667B 宽沟道高电压MOS器件及其制作方法 公开/授权日：2019-03-12
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |