基本信息:
- 专利标题： 集成沟槽式电容器
- 专利标题（英）：Integrated trench capacitor
- 申请号：CN201710816297.2 申请日：2017-09-12
- 公开(公告)号：CN107818970A 公开(公告)日：2018-03-20
- 发明人： B·胡 , H·卡瓦哈勒 , S·P·彭德哈卡
- 申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
- 申请人地址： 美国德克萨斯州
- 专利权人： 德克萨斯仪器股份有限公司
- 当前专利权人： 德克萨斯仪器股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国德克萨斯州
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐东升; 王爽
- 优先权： 15/264,147 2016.09.13 US
- 主分类号： H01L23/64
- IPC分类号： H01L23/64
The invention relates to an integrated trench capacitor. A deep trench capacitor (100) and a method (400A) for providing the same in a semiconductor process are disclosed. The method includes forming(405) a plurality of deep trenches (111) in a first region (106, 108) of a semiconductor wafer, the first region having well doping of a first type. A dielectric layer (110) is formed (410) on a surface of the plurality of deep trenches and a doped polysilicon layer (112) is deposited (415) to fill the plurality of deep trenches, with the doped polysilicon being doped with a dopant of a second type. Shallow trench isolation (114) is formed (420) overlying the dielectric layer at an intersection of the dielectric layer with the surface of the semiconductor wafer.
公开/授权文献:
- CN107818970B 集成沟槽式电容器 公开/授权日：2023-08-18
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/552 | .防辐射保护装置，例如光 |
| ----------H01L23/64 | ..阻抗装置 |