基本信息:
- 专利标题： 具有隔离区的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
- 申请号：CN201710717278.4 申请日：2017-08-18
- 公开(公告)号：CN107768423B 公开(公告)日：2022-07-26
- 发明人： 林欣 , 祝荣华 , 杨红凝
- 申请人： 恩智浦美国有限公司
- 申请人地址： 美国德克萨斯州
- 专利权人： 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人： 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人地址： 美国德克萨斯州
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 孙尚白
- 优先权： 15/242,322 20160819 US
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/78
摘要：
本发明涉及一种具有隔离区的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明公开一种形成于半导体衬底中的装置。所述装置包括形成于所述半导体衬底中的核心装置、包围所述核心装置的第一深沟槽隔离势垒，和形成于所述半导体衬底中、所述深沟槽隔离势垒外部的次级装置。所述装置还包括第二深沟槽隔离势垒，形成所述第二深沟槽隔离势垒以使所述次级装置与所述半导体衬底的其余部分隔离。所述次级装置的第一部分通过第一电连接器电连接到所述核心装置的第一部分，并且所述次级装置的第二部分通过第二电连接器电连接到所述核心装置的第二部分。
公开/授权文献:
- CN107768423A 具有隔离区的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 公开/授权日：2018-03-06