基本信息:
- 专利标题： 一种LED灯珠表面粗糙度的处理方法
- 申请号：CN201710884214.3 申请日：2017-09-26
- 公开(公告)号：CN107731683B 公开(公告)日：2020-07-03
- 发明人： 刘天明 , 皮保清 , 张沛 , 涂梅仙 , 刘亭 , 刘周涛
- 申请人： 木林森股份有限公司
- 申请人地址： 广东省中山市小榄镇木林森大道1号
- 专利权人： 木林森股份有限公司
- 当前专利权人： 木林森股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省中山市小榄镇木林森大道1号
- 代理机构： 东莞市华南专利商标事务所有限公司
- 代理人： 刘克宽
- 主分类号： H01L21/324
- IPC分类号： H01L21/324 ; H01L33/00 ; H01L33/48
摘要：
本发明涉及LED灯珠技术领域，具体涉及一种LED灯珠表面粗糙度的处理方法，该处理方法包括了步骤一、注胶；步骤二、固化；步骤三、喷砂这三个处理步骤，该处理方法避免了砂粒与胶料混合，从而不影响胶料与LED灯支架的粘结力度且能在胶料表面形成一个均匀的磨砂面，利于提高LED灯珠的品质。
公开/授权文献:
- CN107731683A 一种LED灯珠表面粗糙度的处理方法 公开/授权日：2018-02-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/324 | .....用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结 |