基本信息:
- 专利标题： 封装集成的合成射流设备
- 申请号：CN201680032509.1 申请日：2016-04-14
- 公开(公告)号：CN107667420B 公开(公告)日：2021-04-13
- 发明人： F.艾德 , J.古尔布兰德 , M.A.科万
- 申请人： 英特尔公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 毕铮; 郑冀之
- 优先权： 14/728705 20150602 US
- 国际申请： PCT/US2016/027553 2016.04.14
- 国际公布： WO2016/195823 EN 2016.12.08
- 进入国家日期： 2017-12-04
- 主分类号： H01L21/48
- IPC分类号： H01L21/48 ; H01L21/683 ; H01L23/467 ; H01L23/498 ; H05K1/02 ; H05K1/18 ; B05B17/00 ; B05B17/06 ; F15D1/00
摘要：
实施例包括在封装基板的层内形成的合成射流设备，诸如以提供用于感测或冷却应用的受控气流。射流设备包括顶腔和底腔之间的导电材料的电磁驱动振动膜。具有开口的顶盖覆盖顶腔，并且永磁体在底腔下方。通过膜传导的交流电流信号使得膜在存在由永磁体导致的磁场的情况下振动。通过利用封装形成过程来制造，射流（1）比通过使用硅芯片或晶片处理更成本有效地被制造；（2）易于集成为封装基板的其它层的部分和与封装基板的其它层集成；以及（3）可以由安装在封装上的芯片驱动。实施例还包括具有射流的系统和用于形成射流的过程。
公开/授权文献:
- CN107667420A 封装集成的合成射流设备 公开/授权日：2018-02-06