基本信息:
- 专利标题： 半导体层叠体、半导体装置，以及它们的制造方法
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR LAMINATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD THEREOF
- 申请号：CN201710907263.4 申请日：2011-12-09
- 公开(公告)号：CN107658212A 公开(公告)日：2018-02-02
- 发明人： 富泽由香 , 池田吉纪 , 今村哲也
- 申请人： 帝人株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府大阪市
- 专利权人： 帝人株式会社
- 当前专利权人： 帝人株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府大阪市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 陈巍; 鲁炜
- 优先权： 2010-275860 2010.12.10 JP
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/225 ; H01L29/04 ; H01L29/36 ; H01L29/66 ; H01L31/068 ; H01L31/18 ; C01B33/02
Provided is a method for manufacturing a semiconductor device. Also provided are: a semiconductor device which can be obtained by the method; and a dispersion that can be used in the method. A methodfor manufacturing a semiconductor device (500a) of the present invention includes the steps (a)-(c) described below. (a) A dispersion which contains doped particles is applied to a specific part of alayer or a base. (b) An unsintered dopant implanted layer is obtained by drying the applied dispersion. (c) The specific part of the layer or the base is doped with a p-type or n-type dopant by irradiating the unsintered dopant implanted layer with light, and the unsintered dopant implanted layer is sintered, thereby obtaining a dopant implanted layer that is integrated with the layer or the base.
公开/授权文献:
- CN107658212B 半导体层叠体、半导体装置，以及它们的制造方法 公开/授权日：2021-08-06
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |