基本信息:
- 专利标题： 异质结双极晶体管
- 专利标题（英）：Heterojunction bipolar transistor
- 申请号：CN201710089447.4 申请日：2017-02-20
- 公开(公告)号：CN107611175A 公开(公告)日：2018-01-19
- 发明人： 梅本康成 , 小屋茂树 , 吉田茂 , 大部功
- 申请人： 株式会社村田制作所
- 申请人地址： 日本京都府
- 专利权人： 株式会社村田制作所
- 当前专利权人： 株式会社村田制作所
- 当前专利权人地址： 日本京都府
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 舒艳君; 李洋
- 优先权： 2016-136965 2016.07.11 JP
- 主分类号： H01L29/737
- IPC分类号： H01L29/737 ; H01L29/08 ; H01L29/36 ; H01L21/331
The present disclosure relates to a heterojunction bipolar transistor (HBT) that has an increased efficiency while suppressing a decrease in the current amplification factor and a decrease in the base-emitter reverse breakdown voltage. In the HBT, a collector layer, a base layer, an emitter layer, and a semiconductor layer that are laminated in this order, wherein the emitter layer includes a first region having an upper surface on which the semiconductor layer is laminated, and a second region being adjacent to the first region and having an upper surface that is exposed, and the first and second regions of the emitter layer have higher doping concentrations in portions near the upper surfaces than in portions near an interface of the base layer.
公开/授权文献:
- CN107611175B 异质结双极晶体管 公开/授权日：2021-12-28
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/73 | .....双极结型晶体管 |
| ------------------H01L29/737 | ......异质结晶体管 |