基本信息:
- 专利标题： 一种扩散方阻异常硅片的处理工艺
- 申请号：CN201710763100.3 申请日：2017-08-30
- 公开(公告)号：CN107546117B 公开(公告)日：2020-08-07
- 发明人： 郭飞 , 彭平 , 夏中高 , 顾鹏
- 申请人： 平煤隆基新能源科技有限公司 , 中国平煤神马能源化工集团有限责任公司
- 申请人地址： 河南省许昌市襄城县产业集聚区(襄业路中段)
- 专利权人： 平煤隆基新能源科技有限公司,中国平煤神马能源化工集团有限责任公司
- 当前专利权人： 平煤隆基新能源科技有限公司,中国平煤神马能源化工集团有限责任公司
- 当前专利权人地址： 河南省许昌市襄城县产业集聚区(襄业路中段)
- 代理机构： 郑州科维专利代理有限公司
- 代理人： 王理君
- 主分类号： H01L21/223
- IPC分类号： H01L21/223 ; H01L21/311 ; H01L31/18
摘要：
本发明涉及硅太阳能电池制造领域，尤其涉及一种扩散方阻异常硅片的处理工艺，包括以下步骤：步骤1：筛选扩散后方阻≥110Ω的单晶硅片；步骤2：配置浓度5%‑20%的HF溶液去除表面的磷硅玻璃层，对单晶硅片酸洗5‑15min；步骤3：酸洗后通过自动化倒片机将步骤2的单晶硅片导入石英舟，依次按照沉积‑推进‑再沉积‑再推进四个步骤进行回炉扩散，该扩散方阻异常硅片的处理工艺大大提高了补扩成功率。
公开/授权文献:
- CN107546117A 一种扩散方阻异常硅片的处理工艺 公开/授权日：2018-01-05
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/223 | .....应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法 |