基本信息:
- 专利标题： 液处理装置、液处理方法以及存储介质
- 申请号：CN201710443443.1 申请日：2017-06-13
- 公开(公告)号：CN107492513B 公开(公告)日：2022-06-07
- 发明人： 安倍昌洋 , 稻田博一 , 东徹 , 中岛常长 , 木下尚文 , 梶原英树
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理人： 刘新宇
- 优先权： 2016-117221 20160613 JP
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01L21/02
摘要：
本发明提供一种液处理装置、液处理方法以及存储介质。在喷嘴载置区域与多个基板载置区域上的各处理位置之间进行喷嘴的输送的液处理装置抑制对与喷嘴连接的配管的损伤并且抑制生产率的下降。将装置构成为具备设置在基板载置区域的列的后方，用于载置喷嘴的喷嘴载置区域以及用于使臂绕转动轴在水平方向上转动并且使所述转动轴在左右方向上移动的驱动部。从喷嘴载置区域将所述喷嘴从与各处理位置对应地设定的待机位置中的与输送目的地的处理位置对应的待机位置的后方输送到该待机位置，接着使该喷嘴在该待机位置待机，之后将该喷嘴输送到所述处理位置。所述待机位置位于基板载置区域的外侧且在前后方向上观察时位于处理位置与喷嘴载置区域之间。
公开/授权文献:
- CN107492513A 液处理装置、液处理方法以及存储介质 公开/授权日：2017-12-19
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |