基本信息:
- 专利标题： 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
- 申请号：CN201710538052.8 申请日：2017-07-04
- 公开(公告)号：CN107452808B 公开(公告)日：2021-10-22
- 发明人： 徐攀 , 林奕呈 , 盖翠丽 , 张保侠 , 李全虎 , 王玲
- 申请人： 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人： 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人： 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘悦晗; 姜春咸
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L29/06 ; H01L29/08 ; H01L27/12 ; H01L21/34 ; H01L21/77
摘要：
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括：位于衬底基板上的源极、漏极、有源层和栅极，其中，源极与漏极同层设置，源极与有源层为薄膜晶体管中相邻两层结构，源极和漏极均与有源层连接，有源层背向衬底基板的一侧形成有栅绝缘层，栅极位于栅绝缘层背向衬底基板的一侧，栅极、源极、漏极在有源层上的正投影不重叠，有源层背向衬底基板的一侧未被栅极、源极和漏极所覆盖的区域被导体化。本发明的技术方案可在减小薄膜晶体管尺寸的同时有效避免寄生电容的产生。
公开/授权文献:
- CN107452808A 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 公开/授权日：2017-12-08
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |