基本信息:
- 专利标题： 激光加工装置和GaN晶片的生成方法
- 申请号：CN201710341747.7 申请日：2017-05-16
- 公开(公告)号：CN107442952B 公开(公告)日：2021-08-03
- 发明人： 平田和也 , 汤平泰吉
- 申请人： 株式会社迪思科
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社迪思科
- 当前专利权人： 株式会社迪思科
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理人： 李辉; 乔婉
- 优先权： 2016-107038 20160530 JP
- 主分类号： B23K26/53
- IPC分类号： B23K26/53 ; B23K26/0622
摘要：
提供激光加工装置和GaN晶片的生成方法，能够高效地将GaN锭切断而生成GaN晶片。一种激光加工装置，从GaN锭生成GaN晶片，其中，该激光加工装置包含激光束照射单元，该激光束照射单元照射对于保持在卡盘工作台上的GaN锭具有透过性的波长的激光束。该激光束照射单元包含振荡出激光束的激光振荡器，该激光振荡器包含：激光光源，其振荡出高频的脉冲激光；间疏部，其按照规定的重复频率对该激光光源振荡出的高频脉冲进行间疏而将多个该高频脉冲作为子脉冲来生成1突发脉冲；以及放大器，其对所生成的该突发脉冲进行放大。
公开/授权文献:
- CN107442952A 激光加工装置和GaN晶片的生成方法 公开/授权日：2017-12-08