基本信息:
- 专利标题： 半导体装置及其制作工艺
- 申请号：CN201610340188.3 申请日：2016-05-19
- 公开(公告)号：CN107403835B 公开(公告)日：2021-12-14
- 发明人： 刘升旭 , 李镇全 , 吕水烟
- 申请人： 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 , 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 福建省厦门市翔安区万家春路八九九号;
- 专利权人： 联芯集成电路制造(厦门)有限公司,联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联芯集成电路制造(厦门)有限公司,联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省厦门市翔安区万家春路八九九号;
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
本发明公开一种半导体装置以及该半导体装置的制作工艺，该半导体装置包含栅极以及外延结构。其中，栅极是设置在基底上。外延结构则是设置在基底内并介于两栅极结构之间，且基底的一凸部在一投影方向上是延伸至外延结构内。
公开/授权文献:
- CN107403835A 半导体装置及其制作工艺 公开/授权日：2017-11-28
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |