基本信息:
- 专利标题： 半导体存储器装置及其制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor memory device and method for manufacturing same
- 申请号：CN201710024411.8 申请日：2017-01-13
- 公开(公告)号：CN107305894A 公开(公告)日：2017-10-31
- 发明人： 南云俊治
- 申请人： 东芝存储器株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人： 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 张世俊
- 优先权： 62/327,157 2016.04.25 US
- 主分类号： H01L27/11556
- IPC分类号： H01L27/11556
摘要：
本申请案涉及半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包含第一半导体层；堆叠主体，其包含堆叠于第一方向上的多个电极层；金属层，其在所述第一方向上提供于所述第一半导体层与所述堆叠主体之间；第二半导体层，其在所述第一方向上延伸穿过所述堆叠主体及所述金属层，且被电连接到所述第一半导体层。
摘要（英）：
The application relates to a semiconductor memory device and method for manufacturing the same. The semiconductor memory device includes a first semiconductor layer; a stacked body including a plurality of electrode layers stacked in a first direction; a metal layer provided in the first direction between the first semiconductor layer and the stacked body; a second semiconductor layer extending in the first direction through the stacked body and the metal layer, and being electrically connected to the first semiconductor layer.
公开/授权文献:
- CN107305894B 半导体存储器装置及其制造方法 公开/授权日：2021-05-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |
| --------------------H01L27/11502 | .......具有铁电体存储器电容器的 |
| ----------------------H01L27/11551 | ........以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层 |
| ------------------------H01L27/11553 | .........具有在不同层的源区和漏区的，例如，具有倾斜沟道的 |
| --------------------------H01L27/11556 | ..........沟道具有垂直部分的，例如，U形沟道 |