基本信息:
- 专利标题： 基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法
- 申请号：CN201710311776.9 申请日：2017-05-05
- 公开(公告)号：CN107195733B 公开(公告)日：2019-03-29
- 发明人： 施政 , 王永进 , 张帅 , 高绪敏 , 袁佳磊 , 蔡玮 , 沈湘菲 , 张锋华 , 秦川
- 申请人： 南京邮电大学
- 申请人地址： 江苏省南京市新模范马路66号
- 专利权人： 南京邮电大学
- 当前专利权人： 南京邮电大学
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市新模范马路66号
- 代理机构： 南京知识律师事务所
- 代理人： 王珒
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/06 ; H01L33/12 ; H01L33/32
摘要：
本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件，该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。
公开/授权文献:
- CN107195733A 基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法 公开/授权日：2017-09-22