基本信息:
- 专利标题： 磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射设备
- 申请号：CN201610124589.5 申请日：2016-03-04
- 公开(公告)号：CN107154330B 公开(公告)日：2019-01-18
- 发明人： 杨玉杰 , 罗建恒 , 耿波 , 张同文
- 申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
- 申请人地址： 北京市经济技术开发区文昌大道8号
- 专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
- 当前专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市经济技术开发区文昌大道8号
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理人： 彭瑞欣; 张天舒
- 主分类号： H01J25/50
- IPC分类号： H01J25/50 ; H01J23/02 ; C23C14/35
摘要：
本发明提供的磁控管及应用该磁控管的磁控溅射设备，其包括极性相反的外磁极和内磁极，其中，外磁极和内磁极的形状满足：使内磁极的总磁通量与外磁极的总磁通量的差值在预设范围内。本发明提供的磁控管，其不仅可以提高薄膜厚度的均匀性，而且可以降低靶材溅射电压，从而可以减少器件表面形成的损伤。
公开/授权文献:
- CN107154330A 磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射设备 公开/授权日：2017-09-12
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01J | 放电管或放电灯 |
| ------H01J25/00 | 渡越时间管，如速调管、行波管、磁控管 |
| --------H01J25/50 | .磁控管，即有一磁系统的管子，该磁系统产生与E场正交的H场 |