基本信息:
- 专利标题： 制造半导体装置的方法
- 专利标题（英）：A method for manufacturing a semiconductor device
- 申请号：CN201611255377.7 申请日：2016-12-30
- 公开(公告)号：CN107123603A 公开(公告)日：2017-09-01
- 发明人： 余振华 , 谢静华 , 刘重希 , 郑明达
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐金国
- 优先权： 15/053,161 20160225 US
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L21/02
摘要：
提供一种制造半导体装置的方法。在实施例中，用封装物封装第一半导体装置及第二半导体装置。在封装物、第一半导体装置及第二半导体装置上方形成介电层。介电层经平坦化以重设介电层的平面度。
摘要（英）：
A method for manufacturing a semiconductor device is provided. In an embodiment a first semiconductor device and a second semiconductor device are encapsulated with an encapsulant. A dielectric layer is formed over the encapsulant, the first semiconductor device, and the second semiconductor device. The dielectric layer is planarized in order to reset the planarity of the dielectric layer.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/56 | ....封装，例如密封层、涂层 |