基本信息:
- 专利标题： 碳化硅基板的蚀刻方法及收容容器
- 专利标题（英）：Etching method for sic substrate and holding container
- 申请号：CN201580062705.9 申请日：2015-11-17
- 公开(公告)号：CN107004592A 公开(公告)日：2017-08-01
- 发明人： 鸟见聪 , 篠原正人 , 寺元阳次 , 矢吹纪人 , 野上晓 , 金子忠昭 , 芦田晃嗣 , 久津间保德
- 申请人： 东洋炭素株式会社 , 学校法人关西学院
- 申请人地址： 日本大阪府;
- 专利权人： 东洋炭素株式会社,学校法人关西学院
- 当前专利权人： 东洋炭素株式会社,学校法人关西学院
- 当前专利权人地址： 日本大阪府;
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理人： 龙淳
- 优先权： 2014-233631 20141118 JP
- 国际申请： PCT/JP2015/005742 2015.11.17
- 国际公布： WO2016/079983 JA 2016.05.26
- 进入国家日期： 2017-05-18
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; C30B29/36 ; C30B33/12
摘要：
提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
摘要（英）：
Provided is a method for controlling the etching speed of a SiC substrate on the basis of the composition of a holding container. This etching method is for etching a SiC substrate by heating the SiC substrate under Si vapor pressure, in a state where the substrate is held in a crucible. The crucible is configured so as to contain tantalum metal, and is provided with a tantalum carbide layer closer to the inner space side than the tantalum metal, and is provided with a tantalum silicide layer, even closer to the inner space side than the tantalum carbide layer. The etching speed of the SiC substrate is controlled on the basis of differences in the composition of the tantalum silicide layer.
公开/授权文献:
- CN107004592B 碳化硅基板的蚀刻方法及收容容器 公开/授权日：2020-12-08
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |