基本信息:
- 专利标题： 半导体集成电路的电容器以及其制造方法
- 申请号：CN201610547623.X 申请日：2016-07-12
- 公开(公告)号：CN106960839B 公开(公告)日：2023-08-08
- 发明人： 李韩民 , 崔潘秋 , 欧权孙 , 洪森门 , 洪森文 , 柳坤汉
- 申请人： 艾马克科技公司
- 申请人地址： 美国亚利桑那州85284创新圈坦普东路2045号
- 专利权人： 艾马克科技公司
- 当前专利权人： 安靠科技新加坡控股私人有限公司
- 当前专利权人地址： 新加坡新加坡市
- 代理机构： 北京寰华知识产权代理有限公司
- 代理人： 林柳岑; 王兴
- 主分类号： H01L23/64
- IPC分类号： H01L23/64 ; H10N97/00 ; H01L21/02
摘要：
半导体集成电路的电容器以及其制造方法。本发明提供一种半导体集成电路的电容器以及一种其制造方法，例如，一种半导体集成电路的金属‑绝缘体‑金属(MIM)类型电容器以及一种其制造方法，所述半导体集成电路的MIM类型电容器能够提高电容器的电极层与介电层之间的粘附力。例如，本发明提供一种具有新结构的半导体集成电路的电容器以及一种其制造方法，所述电容器通过在金属电极层与介电层之间(具体来说，在下部电极层与介电层之间)另外形成能够减小或补偿热膨胀系数差的缓冲层来防止所述下部电极层与所述介电层之间的界面上的分层现象。
公开/授权文献:
- CN106960839A 半导体集成电路的电容器以及其制造方法 公开/授权日：2017-07-18
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/552 | .防辐射保护装置，例如光 |
| ----------H01L23/64 | ..阻抗装置 |